Создание более миниатюрных транзисторов при сегодняшнем развитии фундаментальной науки невозможно даже теоретически. Учёными разрабатываются методы надёжного переключения состояния этого транзистора, ведь его изменение зависит от расположения каждого электрона. В отличие от классической схемы изготовления транзисторов путём протравливания подложки сверху вниз, молекулярные электронные ключи наращиваются снизу вверх, что требует разработки сложных систем контроля над ходом процесса.
Учёными пока не выяснен механизм зависимости прохождения электронов через транзистор от ориентации центральной молекулы. Использование подобных молекулярных структур позволит на порядок уменьшить габариты и энергопотребление электронных систем, а значит решение оставшихся проблем — вопрос времени.