Уже более 10 лет продолжается незримая гонка между специалистами в области микроэлектроники по созданию самого маленького транзистора. На данный момент порогом размера затвора транзистора (электрода, на который подается управляющее напряжение) считались 5 нанометров.
Исследовательская группа национальной лаборатории Министерства энергетики США под руководством профессора Али Джави разработала транзистор с затвором в 1 нм. Для сравнения, прядь человеческих волос имеет толщину 50000 нм. Для его создания были использованы углеродные трубки и дисульфид молибдена, больше известного в качестве компонента смазки для автомобильных двигателей.
Несмотря на выдающийся результат, профессор Али Джави убежден, что он и его коллеги только в начале пути:
«Да, нам удалось создать самый маленький на сегодня транзистор. Однако это всего лишь доказательство концепции. Мы еще не перенесли эти транзисторы на чип, мы также не создали схему выравнивания для снижения паразитных сопротивлений в устройстве. Однако мы доказали, что возможен выход за границы 5-нм затвора. Закон Мура продолжит действовать еще некоторое время за счет правильного проектирования архитектуры полупроводникового материала».
Разработка ученых поможет «оставаться на плаву» Закону Мура (Гордон Мур один из основателей Intel) гласящий, что плотность транзисторов в интегральных схемах будет удваиваться каждые два года, открывая тем самым возможности по увеличению производительности электронных устройств.